RS1M快恢復(fù)二極管,主要是指與快速晶閘管、高頻率晶閘管和GT0、IGCT、leGT等晶閘管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M該型號快恢復(fù)二極管通常電流大,電壓高,反向恢復(fù)時間一般在1微秒以上,多采用擴(kuò)散型通過結(jié)構(gòu)和電子輻射技術(shù),電流從數(shù)十安培到數(shù)千安培,電壓從數(shù)百伏到3000伏不等。反向恢復(fù)的特性通常很硬,大部分都是晶片結(jié)構(gòu),在國內(nèi)FRD機(jī)器設(shè)備占有超過80%以上的市場份額,F(xiàn)RD總體來說與海外領(lǐng)先水準(zhǔn)相差并不大。
然而,還有一種快恢復(fù)二極管,它與IGBT和功率MOSFET一同工作。那就是RS1M快恢復(fù)二極管,它不但性能快,還需要軟特性,以避免高電壓峰值、射頻干擾和電磁干擾。一般國外生產(chǎn)IGBT、M0SFET的公司也生產(chǎn)了與之配套的快速恢復(fù)二極管,目前國內(nèi)還沒有商業(yè)IGBT和快速恢復(fù)二極管的量產(chǎn)。因?yàn)榭旎謴?fù)二極管比較IGBT來說,較為低端,但隨著我國綜合實(shí)力的提升,快恢復(fù)二極管也宣布正式立項(xiàng),未來有著很好的發(fā)展趨勢。
IFM是正向的電流正向峰值,而-diF/dt是正向通志電流下降的速率,VRM為反向峰值電壓,VFM是二極管正向通態(tài)壓降,tb為復(fù)合時間,IRM反向峰值電流,DIR為反向恢復(fù)電流下降。
RS1M快恢復(fù)二極管的技術(shù)性能及標(biāo)準(zhǔn)是:
(1)恢復(fù)速率快,即反向恢復(fù)時間trr要小。
(2)正向壓降小,即標(biāo)準(zhǔn)VF小,以降低通電情況下的功能損耗。
(3)反向漏電流Ir小,以減少關(guān)閉情況下功能損耗。
(4)反向峰值電流小,減少了二極管反向電流對控制電路中其它開關(guān)裝置的影響;
(5)反向恢復(fù)的軟S較大,減少電壓瞬間感應(yīng)過沖,避免震蕩。
(6)快速恢復(fù)二極管還必須有很好的溫度穩(wěn)定性,以減少或避免由于器件溫度升高而造成的性能退化現(xiàn)象。具有正的溫度系數(shù)的正壓功率二極管具有良好的溫度穩(wěn)定性。
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