mos管，做電源設(shè)計(jì)，或者做驅(qū)動(dòng)方面的電路，難免要用到MOS管。MOS管有很多種類(lèi)，也有很多作用。做電源或者驅(qū)動(dòng)的使用，當(dāng)然就是用它的開(kāi)關(guān)作用。

光耦合器的輸出特性實(shí)際也就是其內(nèi)部光敏三極管的特性，與普通的三極管類(lèi)似。

對(duì)于固態(tài)電容來(lái)說(shuō)，其材質(zhì)根據(jù)產(chǎn)品種類(lèi)的不同大致可以分為鎳，鐵，銅等一系列化學(xué)固性較差的金屬元素所組成，其外邊又是柔軟的抗絕緣膠體物質(zhì)

電氣隔離的要求。A與B電路之間，要進(jìn)行信號(hào)的傳輸，但兩電路之間由于供電級(jí)別過(guò)于懸殊，一路為數(shù)百伏，另一路為僅為幾伏；兩種差異巨大的供電系統(tǒng)，無(wú)法將電源共用。

將發(fā)光元件和受光元件組合在一起，通過(guò)電-光-電這種轉(zhuǎn)換，利用“光”這一環(huán)節(jié)完成隔離功能，使輸入和輸出在電氣上是完全隔離的。根據(jù)受光元件的不同可分為晶體管輸出型和晶閘管輸出型兩類(lèi)。

開(kāi)關(guān)電源中常用的光耦是線性光耦。如果使用非線性光耦，有可能使振蕩波形變壞，嚴(yán)重時(shí)出現(xiàn)寄生振蕩，使數(shù)千赫的振蕩頻率被數(shù)十到數(shù)百赫的低頻振蕩依次為號(hào)調(diào)制。

其實(shí)過(guò)流擊穿與過(guò)熱擊穿是一回事。過(guò)流擊穿就是電流在通過(guò)可控硅芯片時(shí)在芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱效應(yīng)，使芯片溫度升高，當(dāng)芯片溫度達(dá)到175℃時(shí)芯片就會(huì)失效且不能恢復(fù)。

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對(duì)反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成，工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個(gè)主電極T1和T2，一個(gè)門(mén)極G，門(mén)極使器件在主電極的正反兩個(gè)方向均可觸發(fā)導(dǎo)通，所以雙向可控硅在第1和第3象限有對(duì)稱(chēng)的伏安特性。

晶閘管對(duì)過(guò)電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí)，晶閘管就會(huì)立即損壞。