前面小編有對mos管的一些簡單介紹,但都不夠全面,這不前幾天就有人跟小編說對mos管驅動電路一直半解,要我來談談mos管驅動,那我們今天就來聊聊當用mos管設計開關電源或電機驅動電路時的一些問題,其實我在設計它們的驅動電路是,往往只考慮 MOS的導通電阻、最大電壓等,而許多人只考慮這一點。其實這類電路可能會起作用,但用起來不是很好,不能作為正式的產品設計使用。
首先我們要談談 Mos管的導通特性。導通的意思就是疏通的意思,它就像一個開關,等于開關閉合。NMOS導通特性, Vgs要比某值高,只要柵壓達到4 V或10 V,就可以適用于源極接地,PMOS的特性,只要 Vgs比某值低就會導通,適用于源極接 VCC的情況。但是,雖然 PMOS是一種非常方便的高端驅動,但是,普遍采用的是 NMOS,因為導通電阻大,價格昂貴,更換品種少。
而不管是 NMOS或是 PMOS ,導通 后都普遍存在 1個 導通 電阻 ,因而 電流 在這個電阻 上耗費 的能量 都被稱為導通損耗。目前有一些幾豪歐幾十歐的導通電阻的mos管,我們可以選用這種mos管來減少流量損失。
MOS在引導和截止時,肯定不會在瞬間完成。mos管端電壓呈遞減過程,流過電流呈遞增過程,在此期間 mos管的損耗為電壓和電流的乘積,稱為開關損耗。一般情況下,開關損耗遠大于導通損失,開關頻率越高,損耗越大。瞬時電壓和電流的乘積越大,那么損失也會很大。我們可以用縮短開關時間和減少開關頻率這兩種方法來減少開關損失。與雙極性晶體管相比,通常認為 MOS管導通無需電流,只要 GS電壓高于某一數值,即可。這做起來簡單,但也需要速度。
由 MOS管結構可知,在 GS與 GD之間存在寄生電容, mos管的驅動實際上就是向電容充放電。電容器的充電需要電流,因為在瞬間充電電容會將電容看作是短路,所以瞬間電流會比較大。
其次,一般在高端驅動N型mos上用,導通性需要源極電壓。而且極MOS電壓導通源與漏極VCC相同,所以這個時候壓力比VCC大4V或者10V。如果你想在同一個系統(tǒng)中獲得VC電壓,你需要一個特殊的升壓電路。
上面提到的4 V、10 V是常用 mos管的導通電壓,當然在設計上要有一定的余量。隨著電壓的升高,導通速率的增加,導通電阻也會減小。同樣,目前 mos管使用的導通電壓較低,但在12 V汽車電子系統(tǒng)中,一般4 V導通已經足夠。
mos管最突出的特點就是開關特性好,因此廣泛用于需要電子開關的電路中,一般情況下,例如開關電源和電機驅動,也有燈光調節(jié)。
當用mos管設計開關電源或電機驅動電路時,有哪些問題需要注意就講到這了,想要了解更多mos管、二三極管等半導體的應用、選型知識介紹,可做收藏點擊咨詢服務詳詢,為您帶來更多的電子元器件行業(yè)資訊。