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可控硅的工作原理與型號參數(shù)介紹,一起看看吧!

發(fā)布時(shí)間:2023-07-22 13:08:46
信息摘要:
可控硅,也被稱為硅控整流器,是一種常見且重要的電子元件。它在電力控制和電子設(shè)備中起著重要的作用。今天弗瑞鑫將詳細(xì)介紹可控硅的工作原理以及各種型號參數(shù),以幫助朋友們充分了解和應(yīng)用可控硅。

  可控硅,也被稱為硅控整流器,是一種常見且重要的電子元件。它在電力控制和電子設(shè)備中起著重要的作用。今天弗瑞鑫將詳細(xì)介紹可控硅的工作原理以及各種型號參數(shù),以幫助朋友們充分了解和應(yīng)用可控硅。

可控硅的工作原理與型號參數(shù)介紹,一起看看吧!

     一、可控硅的定義和基本概念

  可控硅是一種具有單向?qū)щ娞匦缘陌雽?dǎo)體元件。它由四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成,分別是P型半導(dǎo)體、N型半導(dǎo)體、P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體,形成一個(gè)PNPN結(jié)構(gòu)??煽毓栌腥齻€(gè)外部引出端子,分別是控制端(Gate)、陽極(Anode)和陰極(Cathode)。通過控制端的電流信號,可控硅可以在導(dǎo)通和截止之間切換。


    二、可控硅的工作原理

  可控硅的工作原理可以分為兩個(gè)階段:觸發(fā)階段和導(dǎo)通階段。

  1、觸發(fā)階段:

  在控制端施加一個(gè)足夠的陽極電壓,比如一個(gè)正脈沖信號,這將激活PNPN結(jié)構(gòu),使得可控硅的P1-N1結(jié)的邊界處形成一個(gè)電子注。該電子注會在P1-N1結(jié)與N2層的交界處形成感應(yīng)場,從而擴(kuò)散到整個(gè)N1區(qū)。當(dāng)電子注擴(kuò)展到達(dá)P2-N2結(jié)的邊界處時(shí),會誘發(fā)出一個(gè)足夠大的電流,使得可控硅進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)。

   2、導(dǎo)通階段:

  在觸發(fā)階段之后,當(dāng)可控硅進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),只需要維持Anode和Cathode之間的正向電壓,就可以保持導(dǎo)通狀態(tài)。此時(shí),可控硅將表現(xiàn)為一個(gè)低電壓降并高電流承受能力的導(dǎo)電通路。直到Anode和Cathode之間的正向電流降至零或下降到一定程度,可控硅將自動進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。


  三、可控硅的主要型號參數(shù)

  可控硅的性能和特點(diǎn)可以通過一系列參數(shù)來描述和衡量。

   1、阻斷電壓(VDRM):

  阻斷電壓是指在正向承受不導(dǎo)通的狀態(tài)下,可控硅所能承受的最大電壓。

    2、種類電流(ITSM):

  種類電流是指可控硅在承受阻斷電壓時(shí)可以瞬間通過的峰值電流。

    3、電流增益率(dV/dt):

  電流增益率是指可控硅在導(dǎo)通狀態(tài)下,當(dāng)陽極-陰極之間的電壓變化速率超過一定值時(shí),可控硅的電流增加的速率。

  4、電流放大率(hFE):

  電流放大率是指一個(gè)小的控制電流能使可控硅的大電流變大的能力。

    5、損耗功率(PD):

  損耗功率是指可控硅在工作過程中轉(zhuǎn)化為熱量的功率。


    典型的可控硅型號包括:

  1、2N6404

  2、BC635

  3、BCR16PM

  4、K1500G

  5、C106D

  可控硅是一種重要的電子元件,在電力控制和電子設(shè)備方面具有廣泛應(yīng)用。今天弗瑞鑫介紹了可控硅的工作原理和主要型號參數(shù),希望能對朋友們了解和應(yīng)用可控硅起到一定的幫助。

            

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