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雙向可控硅的十條原則

發(fā)布時間:2022-09-10 10:00:00
信息摘要:
為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT ,直至負載電流達到≧ IL 。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮。

1. 為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT ,直至負載電流達到≧ IL 。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮。

2. 要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負載電流必須《IH, 并維持足夠長的時 間,使能回復(fù)至截止狀態(tài)。在可能的最高運行溫度下必須滿足上述條件。

3. 設(shè)計雙向可控硅觸發(fā)電路時,只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+)。

4. 為減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極)。若 用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1間加電阻1k倩蚋 8咂蹬月返縟鶯兔偶浯擁繾琛A硪喚餼靄旆?,选用H系列低靈敏度雙向可控硅。

5. 若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起問題,在MT1和MT2間加入RC緩沖電路。 若高dICOM/dt可能引起問題,加入一幾mH的電感和負載串聯(lián)。 另一種解決辦法,采用Hi-Com雙向可控硅。

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6. 假如雙向可控硅的VDRM在嚴重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下 列措施之一: 負載上串聯(lián)電感量為幾霩的不飽和電感,以限制dIT/dt; 用MOV跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路。

7. 選用好的門極觸發(fā)電路,避開3+象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的 dIT/dt承受能力。

8. 若雙向可控硅的dIT/dt有可能被超出,負載上最好串聯(lián)一個幾霩的無鐵芯電感 或負溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負載采用零電壓導(dǎo)通。

9. 器件固定到散熱器時,避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定,然后焊接引線。不要把 鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。

10. 為了長期可靠工作,應(yīng)保證Rthj-a足夠低,維持Tj不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的 最高環(huán)境溫度。

            

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