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雙向可控硅的特點(diǎn)及應(yīng)用

發(fā)布時間:2022-08-10 08:53
信息摘要:
雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2,一個門極G,門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。

雙向可控硅原理

“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且僅需一個觸發(fā)電路,是比較理想的交流開關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開關(guān)之意。

先看下圖的工作原理:

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如果想簡單一點(diǎn)只要記住一句話即可,只要在G端有信號,那么T1-T2這條路就是通的,只有G在零點(diǎn)的時候才不會導(dǎo)通,主要來看一下應(yīng)用吧。

來看一個電路圖,其實(shí)雙向可控硅多數(shù)用在交流電路中。

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簡單介紹一下,Q5是三極管,U2是個光耦,BT1就是雙向可控硅,R144是一個壓敏電阻,正常工作時候相當(dāng)于斷路,超過470V才起作用,CN5接負(fù)載,也就是說我只要給AirPumpSwitch一個信號,可控硅就是導(dǎo)通的了,不管是在交流電正負(fù)部分。

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雙向可控硅特點(diǎn)及應(yīng)用

雙向可控硅可被認(rèn)為是一對反并聯(lián)連接的普通可控硅的集成,工作原理與普通單向可控硅相同。雙向可控硅有兩個主電極T1和T2,一個門極G,門極使器件在主電極的正反兩個方向均可觸發(fā)導(dǎo)通,所以雙向可控硅在第1和第3象限有對稱的伏安特性。雙向可控硅門極加正、負(fù)觸發(fā)脈沖都能使管子觸發(fā)導(dǎo)通,因此有四種觸發(fā)方式。雙向可控硅應(yīng)用為正常使用雙向可控硅,需定量掌握其主要參數(shù),對雙向可控硅進(jìn)行適當(dāng)選用并采取相應(yīng)措施以達(dá)到各參數(shù)的要求。

耐壓級別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。選用時,額定電壓應(yīng)為正常工作峰值電壓的2~3倍,作為允許的操作過電壓裕量。

電流的確定:由于雙向可控硅通常用在交流電路中,因此不用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時,可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。

通態(tài)(峰值)電壓VTM的選擇:它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時的瞬態(tài)峰值壓降。為減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。

維持電流:IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的最小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。

電壓上升率的抵制:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個關(guān)鍵參數(shù)。此值超限將可能導(dǎo)致可控硅出現(xiàn)誤導(dǎo)通的現(xiàn)象。由于可控硅的制造工藝決定了A2與G之間會存在寄生電容。

            

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