一、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品類型:IGBT模塊
產(chǎn)品型號:MG50P12E2
產(chǎn)品描述:1200V 50A
產(chǎn)品封裝:E2
產(chǎn)品品牌:揚(yáng)杰
反向重復(fù)峰值電壓VRRM:1200V
正向平均電流IF:50A
飽和壓降 VCE: 1.9V
工作溫度范圍:-40℃~+150℃
二、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊規(guī)格書
三、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊的性能特點(diǎn)
1、高性價(jià)比:相較于其他類似產(chǎn)品,揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊具有更高的性價(jià)比。
2、高可靠性:具有高抗電壓、高抗電流能力,同時(shí)具有反向恢復(fù)能力。
3、相容性強(qiáng):適用于各種高功率電子應(yīng)用,如電力逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。
4、使用方便:具有簡單的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),易于使用和維護(hù)。
四、揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊的應(yīng)用領(lǐng)域
1、電力逆變器:能夠幫助逆變器實(shí)現(xiàn)高效的電能轉(zhuǎn)換,從而節(jié)約能耗。
2、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器:能夠幫助電機(jī)驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)更高效的功率輸出,提高電機(jī)轉(zhuǎn)速和轉(zhuǎn)矩。
3、其他高功率電子應(yīng)用:適用于各種高功率電子應(yīng)用領(lǐng)域。
揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊是一種具有優(yōu)秀性能的電力半導(dǎo)體裝置,廣泛應(yīng)用于各種高功率電子應(yīng)用領(lǐng)域中。它具有高性價(jià)比、高可靠性、相容性強(qiáng)、使用方便等特點(diǎn),并且在技術(shù)指標(biāo)上表現(xiàn)卓越。如果您正在尋找一款高性能的IGBT模塊,那么揚(yáng)杰MG50P12E2 IGBT模塊將是您的不二選擇。
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